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IRF5803D2PBF中文资料

IRF5803D2PBF图片

IRF5803D2PBF外观图

  • 大小:143.4KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode
  • 标准包装:95
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:FETKY™
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:112 毫欧 @ 3.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:37nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1110pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SO
  • 包装:管件

IRF5803D2PBF供应商

更新时间:2023-01-10 10:17:24
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